• Điều chỉnh tần số thay đổi và chính xác kiểm soát công suất cho phép lặp lại,
• các quy trình có thể kiểm soát.
• Thiết kế buồng có độ tin cậy cao và hệ thống làm mát cải thiện buồng trọn đời và giảm chi phí dịch vụ
• Tỷ lệ phân ly cao và tạo gốc mật độ cao cho cải thiện hiệu suất quy trình
• Quản lý nhiệt trong buồng đảm bảo hiệu suất lâu dài, đáng tin cậy
• Các loài phản ứng kết quả lâu hơn cung cấp suốt đời được cải thiện tỷ lệ dải photoresist so với tường buồng anốt

Rapiod OX đạt ổn định trạng thái hoạt động nhanh chóng do thấp áp suất động quá mức.

• Công suất nguồn plasma: 500 W đến 6000 W với khả năng cân bằng công suất trong phạm vi trở kháng của nguồn điện
• Tương thích hóa học: Thiết bị này được thiết kế để sử dụng với các khí được chọn như Ar, O2, H2, N2, F2, H2O, NF3 hoặc O2: CxFy
• Tần số RF: 250 – 665 kHz
• Độ sai số: Được tham chiếu ở tải plasma +/- 5% hoặc 200 W, tùy theo giá trị nào lớn hơn
• Giới hạn tải hoạt động: 500-600W
• Kích thước: 35.3 cm (H) x 41.5 cm (W) x 39.2 cm (D)

Khối lượng: 37.6kg

• Quá trình tro hóa
• Sản xuất vật liệu bán dẫn
• Làm sạch trước Wafer
• Quy trình làm sạch buồng carbon

• Giảm đáng kể thời gian chết và chi phí sở hữu thông qua một buồng thạch anh có thể tháo rời và thay thế được
• Cải thiện hiệu suất quá trình nhờ tỷ lệ phân ly cao và tạo gốc mật độ cao
• Đảm bảo các quy trình có thể lặp lại, có thể kiểm soát với điều chỉnh tần số thay đổi và kiểm soát công suất chính xác
• Tăng tuổi thọ của buồng và giảm chi phí dịch vụ nhờ thiết kế đáng tin cậy và hệ thống làm mát
• Cải thiện việc sử dụng công cụ, giảm bảo trì phòng ngừa và giảm CoO