




Nguồn cung cấp Plasma Pinnacle Plus
Bộ nguồn Pinnacle Plus công nghệ tiên tiến cung cấp tất cả các lợi thế của giải pháp xung DC cho các quy trình phản ứng phún xạ trong một thiết bị tích hợp dễ dàng giúp tăng hiệu quả quy trình, giảm chi phí và mang lại độ linh hoạt và độ chính xác cao hơn. Kết hợp công nghệ chuẩn DC và công nghệ xung DC được cấp bằng sáng chế của AE, bộ nguồn Pinnacle Plus cung cấp tốc độ lắng đọng cao hơn, hiệu suất tái lặp nhiều hơn và chất lượng phim vượt trội so với các giải pháp nguồn AC phức tạp và chi phí cao.
Bộ nguồn Pinnacle Plus công nghệ tiên tiến cung cấp tất cả các lợi thế của giải pháp xung DC cho các quy trình phản ứng phún xạ trong một thiết bị tích hợp dễ dàng giúp tăng hiệu quả quy trình, giảm chi phí và mang lại độ linh hoạt và độ chính xác cao hơn. Kết hợp công nghệ chuẩn DC và công nghệ xung DC được cấp bằng sáng chế của AE, bộ nguồn Pinnacle Plus cung cấp tốc độ lắng đọng cao hơn, hiệu suất tái lặp nhiều hơn và chất lượng phim vượt trội so với các giải pháp nguồn AC phức tạp và chi phí cao.
- Dải tần số bộ nguồn Pinnacle Plus có thể điều chỉnh từ 5 đến 350 kHz
- Chu kỳ thời gian tín hiệu on thay đổi lên đến 45%
- Dải điện áp rộng – dải trở kháng rộng đáp ứng các điều kiện yêu cầu nguồn cấp phún xạ khắc nghiệt
- Máy cấp nguồn Pinnacle Plus Kiểm soát hồ quang vượt trội, ổn định
- Đầu ra kép của Pinnacle Plus có sẵn luôn sẵn sàng tích hợp các bộ nguồn câp cấp khác
· Nguồn cung cấp: 200/208, 400, 480VAC
· Hệ số công suất: >0.95, >0.90 HALO
· Nguồn điện áp đầu ra: 325 to 800 V
· Hệ số nhiệt độ: Sự thay đổi <0,005% / °C trong thông số đầu ra được điều chỉnh trên môi trường xung quanh 20 ° đến 40 ° C (68 ° đến 104 ° F)
· Cổng điều khiển I/O: 37 chân cách ly (đến 500 VRMS), 0 đến 10 VDC analog, 0/24 VDC digital
· Giao thức truyền thông: RS-232, RS-422, RS-485 (tốc độ truyền có thể lựa chọn lên đến 115,2 k), giao thức Bus AE, giao thức ASCII (MDX và mô phỏng), Profibus
· Kích thước: 128 mm (H) x 483 mm (W) x 574 mm (D) bộ nguồn AE nhỏ gọn, dễ dàng lắp đặt, di chuyển
· Trọng lượng:21.8Kg
Ứng dụng công nghệ phún xạ trong tạo màng mỏng, phim mỏng, trong phòng thí nghiệm, công nghiệp
Sử dụng tạo các màng mỏng trên bề mặt wafer
Ứng dụng trong nhà máy sản xuất wafer, vật liệu bán dẫn, semicondutor.
Ứng dụng trong phòng thí nghiệm như đại học quốc gia hà nội
· Chi phí vận hành và lắp đặt thấp
· Tạo phản ứng hồ quang nhanh nhất trong – tránh hư hỏng quá trình phóng hồ quang
· Tỷ lệ lắng đọng và năng suất cao hơn
· Độ đồng đều và chất lượng phim vượt trội bởi nguồn cung cấp phún xạ chính xác và ổn định
· Giảm thiệt hại chất nền do phóng điện hồ quang
· Quá trình linh hoạt và độ chính xác tuyệt vời
Hiệu suất lặp lại ổn định, màng film đồng đều