Phún xạ (tiếng Anh: Sputtering) haya Phún xạ cathode (Cathode Sputtering) là kỹ thuật chế tạo màng mỏng dựa trên nguyên lý truyền động năng bằng cách dùng các ion khí hiếm được tăng tốc dưới điện trường bắn phá bề mặt vật liệu từ bia vật liệu, truyền động năng cho các nguyên tử này bay về phía đế và lắng đọng trên đế.

Quy định chặt chẽ, công nghệ dập tắt hồ quang vượt trội, tiên tiết và năng lượng đầu ra được lưu trữ thấp khiến bộ nguồn DC dòng MDX trở thành bộ nguồn cung cấp thiết bị phún xạ dẫn đầu trong ngành chết tạo màng mỏng ứng dụng công nghệ phún xạ (sputtering process). Dành cho mục đích sử dụng liên tục trong môi trường chân không, những bộ nguồn ổn định cung cấp quá trình phún xạ chất lượng này thường được sử dụng làm ổ đĩa phún xạ DC magnetron. Thiết kế nhỏ gọn của chúng khiến chúng trở thành lựa chọn hàng đầu cho các hệ thống phòng thí nghiệm, nhà máy sản xuất chết tạo màng mỏng, panel pin năng lượng mặt trời…

• Năng lượng đầu ra được lưu trữ thấp với thời gian triệt tiêu hồ quang có thể điều chỉnh phù hợp từng yêu cầu thí nghiệm, sản xuất
• Tần số thấp (gợn sóng thấp)
• Thiết kế bộ nguồn cung cấp quá trình phún xạ nhỏ gọn, dễ dàng tích hợp, set-up kết nối chung với các bộ nguồn và bộ điều khiển khác.
• Có thể điều chỉnh được mức điện áp sinh ra và công suất phù hợp với từng loại bề mặt.
• Giao diện cài đặt và bảng điều khiển nằm phía trước bộ nguồn cung cấp quá trình phún xạ, dễ dàng cài dặt và giám sát

• Điện áp cung cấp:

+ Model MDX 1Kv: 115 VAC, 50/60 Hz ±10%, 16 A max 208/220 VAC, 50/60 Hz ±10%, 8.9 A

+ Model MDX 1.5Kv: 208/220 VAC, 50/60 Hz ±10%, 13.4 A     

• Kích thước model 1Kw, 1.5Kw: 175.3 mm (H) x 266.7 mm (W) x 400 mm (D); 6.9″ (H) x 10.5″ (W) x 15.75″ (D)
• Khối lượng model 1Kw, 1.5Kw: 8.6kg
• Cáp nguồn đầu ra model 1Kw, 1.5Kw: UHF or terminal block (6-32 screw)
• Nhiệt độ hoạt động ổn định model 1Kw, 1.5Kw: 0 – 40°C (32 to 104°F)
• Độ ẩm hoạt động ổn định model 1Kw, 1.5Kw: 15 đến 85%
• Loại khí làm mát model 1Kw, 1.5Kw: Khí gas
• Áp suất khí cấp làm mát model 1Kw, 1.5Kw: 800 mbar/ phút
• Tự động giới hạn xảy ra khi dòng điện, điện áp hoặc công suất vượt quá giới hạn đặt trước.

• Ứng dụng công nghệ phún xạ trong tạo màng mỏng, phim mỏng, trong phòng thí nghiệm, công nghiệp
• Sử dụng tạo các màng mỏng trên bề mặt wafer
• Ứng dụng trong nhà máy sản xuất wafer, vật liệu bán dẫn, semicondutor.
• Ứng dụng trong phòng thí nghiệm như đại học quốc gia hà nội

·        Nguồn cung cấp chất lượng cao, ổn định cao. Đảm bảo quá trình phún xạ luôn được diễn ra ổn định, an toàn.

·        Tự động giới hạn xảy ra khi dòng điện, điện áp hoặc công suất vượt quá giới hạn đặt trước.

·        Tăng cường cả hiệu quả của quá trình ion hóa ban đầu và cho phép tạo ra plasma ở áp suất thấp hơn, làm giảm cả sự kết hợp khí nền trong lớp phủ và mất năng lượng trong nguyên tử phún xạ qua va chạm ion Khí