




eVoS LE
Máy tạo dạng sóng phân cực không đối xứng để kiểm soát trực tiếp điện áp chất nền và năng lượng ion
Nền tảng eVoS của Advanced Energy là một công nghệ năng lượng mang tính cách mạng để kiểm soát trực tiếp việc phân phối năng lượng ion trong quá trình xử lý plasma. Hệ thống bao vây đơn, tích hợp mang lại chiều rộng tùy chỉnh và khả năng kiểm soát chính xác năng lượng ion cho các ứng dụng khắc nút và lắng đọng.
Với dạng sóng không đối xứng 1,2 kV, eVoS LE áp dụng phép đo và điều khiển độc quyền để cung cấp hiệu suất plasma chệch cho việc hình thành tính năng nhạy cảm và hiệu quả không thể đạt được bằng các phương pháp RF thông thường.
- Đầu ra điện áp và dòng điện được điều chỉnh độc lập để kiểm soát tối đa các điều kiện sai lệch
- Hệ thống điều khiển độc quyền để thao tác trực tiếp các đặc tính thiên vị wafer
- Đo lường số hóa, nhanh chóng để theo dõi và kiểm soát đầu ra theo thời gian thực
- Cải thiện hiệu quả với công suất được áp dụng trực tiếp để tăng tốc ion để ít lãng phí hơn cho quá trình sưởi ấm
- Nâng cao khả năng tùy chỉnh phân phối năng lượng ion, loại bỏ đuôi và phân bố hẹp để tối đa hóa nồng độ đến mức tối ưu của quy trình
EVoS ™ LE là một máy phát dạng sóng thiên vị không đối xứng được thiết kế để đạt được sự kiểm soát trực tiếp điện áp bề mặt tấm wafer và kết quả là phân phối năng lượng ion (IED) trong quá trình khắc và lắng đọng dựa trên plasma. Hệ thống eVoS bao gồm nguồn cung cấp điện áp hai chiều kết hợp với nguồn dòng điện độc lập để thiết lập và kiểm soát điện thế bề mặt wafer. Đầu ra không đối xứng của eVoS loại bỏ các hạn chế và hạn chế của xu hướng wafer vốn có đối với ứng dụng thiên vị RF hình sin. Đo lường kỹ thuật số nhanh và các thuật toán điều khiển mới cho phép sản xuất IED gần như đơn năng. Sử dụng các thông số bổ sung để tùy chỉnh các khía cạnh trung bình và thay đổi theo thời gian của điện áp bề mặt tấm wafer và kết quả là phân phối năng lượng ion.
- Khả năng tạo ra sự phân bố năng lượng ion gần đơn năng
- Khả năng tạo xung với các tín hiệu đầu vào và đầu ra cần thiết để đồng bộ hóa
- Thiết kế tích hợp và kích thước nhỏ gọn giúp loại bỏ nhu cầu kết nối mạng
- Đo lường tốc độ cao cung cấp phản hồi điện áp thiên vị thời gian thực và phản hồi dòng điện ion
- Phân bố hẹp, rộng và đa đỉnh
- Thích ứng với giao diện buồng tiêu chuẩn
- Kiểm soát trực tiếp điện áp phân cực wafer và năng lượng ion thu được
- Có được khả năng lựa chọn / phân biệt năng lượng ion nâng cao khi so sánh với phương pháp phân cực RF
- Tăng đáng kể tính chọn lọc khắc đối với các quy trình ngắn hơn và các tính năng thẳng hơn, sâu hơn
- Sử dụng ít điện năng hơn bằng cách sử dụng “công suất phù hợp”, chỉ cung cấp năng lượng ion hữu ích
- Đơn giản hóa việc tích hợp sức mạnh thiên vị