EVoS ™ LE là một máy phát dạng sóng thiên vị không đối xứng được thiết kế để đạt được sự kiểm soát trực tiếp điện áp bề mặt tấm wafer và kết quả là phân phối năng lượng ion (IED) trong quá trình khắc và lắng đọng dựa trên plasma. Hệ thống eVoS bao gồm nguồn cung cấp điện áp hai chiều kết hợp với nguồn dòng điện độc lập để thiết lập và kiểm soát điện thế bề mặt wafer. Đầu ra không đối xứng của eVoS loại bỏ các hạn chế và hạn chế của xu hướng wafer vốn có đối với ứng dụng thiên vị RF hình sin. Đo lường kỹ thuật số nhanh và các thuật toán điều khiển mới cho phép sản xuất IED gần như đơn năng. Sử dụng các thông số bổ sung để tùy chỉnh các khía cạnh trung bình và thay đổi theo thời gian của điện áp bề mặt tấm wafer và kết quả là phân phối năng lượng ion.

• Khả năng tạo ra sự phân bố năng lượng ion gần đơn năng
• Khả năng tạo xung với các tín hiệu đầu vào và đầu ra cần thiết để đồng bộ hóa
• Thiết kế tích hợp và kích thước nhỏ gọn giúp loại bỏ nhu cầu kết nối mạng
• Đo lường tốc độ cao cung cấp phản hồi điện áp thiên vị thời gian thực và phản hồi dòng điện ion
• Phân bố hẹp, rộng và đa đỉnh
• Thích ứng với giao diện buồng tiêu chuẩn

• Kiểm soát trực tiếp điện áp phân cực wafer và năng lượng ion thu được
• Có được khả năng lựa chọn / phân biệt năng lượng ion nâng cao khi so sánh với phương pháp phân cực RF
• Tăng đáng kể tính chọn lọc khắc đối với các quy trình ngắn hơn và các tính năng thẳng hơn, sâu hơn
• Sử dụng ít điện năng hơn bằng cách sử dụng “công suất phù hợp”, chỉ cung cấp năng lượng ion hữu ích
• Đơn giản hóa việc tích hợp sức mạnh thiên vị