Phún xạ (tiếng Anh: Sputtering) hay Phún xạ cathode (Cathode Sputtering) là kỹ thuật chế tạo màng mỏng dựa trên nguyên lý truyền động năng bằng cách dùng các ion khí hiếm được tăng tốc dưới điện trường bắn phá bề mặt vật liệu từ bia vật liệu, truyền động năng cho các nguyên tử này bay về phía đế và lắng đọng trên đế.

Dòng thiết bị Ascent DMS với khả năng cung cấp, phân phối nguồn điện dễ dàng tiện lợi và có khả năng điều khiển nguồn phún xạ từ trường kép, cho phép điều chỉnh chính xác phù hợp với từng đặc điểm của màng film. Với tính năng có thể lựa chọn tần số, điều chỉnh, cấu hình được đơn giản hóa dòng thiết bị cấp nguồn phún xạ Ascent DMS được coi là công nghệ hiện tiếp theo của các dòng nguồn phún xạ.

• Mức công suất cao hơn các loại model thông thường và giảm tổn hao nguồn cung cấp hồ quang.

• Khả năng mở rộng nguồn, tích hợp với các bộ nguồn khác giảm thiểu chi phí đầu tư.

• Model có thể mở rộng lên các loại như 30,40,60Kw lên đến 180Kww

• Tần số có thể lựa chọn (500 Hz đến 50 kHz)

• Điều chỉnh nguồn, dòng điện hoặc điện áp

• Chu kỳ làm việc có thể điều chỉnh – tỷ lệ công suất độc lập

• Hoạt động đơn cực và lưỡng cực

• CEX (đồng bộ pha)

• Tuân thủ ROHS của EU 

• Đa dạng model: DMS 30Kw, DMS 40Kw, DMS 60Kw.

• Nguồn cung cấp: 85-264 VAC

• Điện áp đầu ra: <1000V

• Dòng điện đầu ra: 150A

• Công suất đầu ra:

+ Model DMS 30Kw và DMS 40Kw: 1A , 400W

+ Model DMS 60Kw: 2A , 600W

·        Giao thức truyền thông: Ethernet, EtherCAT®, Profibus®, RS-232/485, analog, Virtual Front Panel (VFP) software, remote control panel

·        Trọng lượng: 61.5Kg

·        Nhiệt độ hoạt động ổn định <40C

·        Đáp ứng tiêu chuẩn an toàn: EU RoHS, CE, NRTL

• Ứng dụng công nghệ phún xạ trong tạo màng mỏng, phim mỏng, trong phòng thí nghiệm, công nghiệp

• Sử dụng tạo các màng mỏng trên bề mặt wafer

• Ứng dụng trong nhà máy sản xuất wafer, vật liệu bán dẫn, semicondutor.

• Ứng dụng trong phòng thí nghiệm như đại học quốc gia hà nội

·        Nguồn cung cấp chất lượng cao, ổn định cao. Đảm bảo quá trình phún xạ luôn được diễn ra ổn định, an toàn.

·        Tự động giới hạn xảy ra khi dòng điện, điện áp hoặc công suất vượt quá giới hạn đặt trước.

·        Tăng cường cả hiệu quả của quá trình ion hóa ban đầu và cho phép tạo ra plasma ở áp suất thấp hơn, làm giảm cả sự kết hợp khí nền trong lớp phủ và mất năng lượng trong nguyên tử phún xạ qua va chạm ion Khí