Bộ nguồn Ascent AP cung cấp khả năng điều khiển plasma chưa từng có trong một giải pháp nhỏ gọn dành cho phún xạ magnetron đơn và magnetron kép. Công nghệ phát xung được cấp bằng sáng chế của Advanced Energy cho phép ngăn chặn hồ quang vượt mức đáng kể, mức công suất cao hơn và tăng nguồn điện áp đầu ra cao hơn. Các thông số kiểm soát toàn diện của Ascent AP và các tùy chọn vật liệu mở khóa phạm vi hoạt động rộng để mở rộng tính linh hoạt của quy trình và đổi mới vật liệu.

·        Quá trình tùy chỉnh với các thông số phân phối điện năng rộng phù hợp với các quá trình plasma phún xạ khác nhau

·        Quản lý quy trình nâng cao thông qua cách tiếp cận theo từng cấp để giảm thiểu hồ quang rò rì, tổn thất năng lượng

·        Giải pháp nhỏ gọn, đơn chiếc (lên đến 30 kW), dễ dàng tích hợp lắp đặt.

·        Ứng dụng công nghệ đặt bù điểm cho thông lượng ổn định

·        Phạm vi hoạt động rộng để cho phép nhiều loại vật liệu màng khác nhau  

·        Công suất nguồn cung cấp phún xạ: 30 kW (15 kW)

·        Điện áp nguồn cung cấp phún xạ: 1000 VDC

·        Giá trị dòng đỉnh: 100A

·        Giá trị dòng trung bình:    75A

·        Tần số tùy chỉnh đa dạng: 0.5-150Khz

·        Thời gian xoay chiều dòng điện: 15 μsec

·        Thời gian tín hiệu on (Duty circle): 60%

• Ứng dụng công nghệ phún xạ trong tạo màng mỏng, phim mỏng, trong phòng thí nghiệm, công nghiệp

• Sử dụng tạo các màng mỏng trên bề mặt wafer

• Ứng dụng trong nhà máy sản xuất wafer, vật liệu bán dẫn, semicondutor.

• Ứng dụng trong phòng thí nghiệm như đại học quốc gia hà nội

·        Nguồn cung cấp chất lượng cao, ổn định cao. Đảm bảo quá trình phún xạ luôn được diễn ra ổn định, an toàn.

·        Tự động giới hạn xảy ra khi dòng điện, điện áp hoặc công suất vượt quá giới hạn đặt trước.

·        Tăng cường cả hiệu quả của quá trình ion hóa ban đầu và cho phép tạo ra plasma ở áp suất thấp hơn, làm giảm cả sự kết hợp khí nền trong lớp phủ và mất năng lượng trong nguyên tử phún xạ qua va chạm ion Khí